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GaNエピタキシャル成長温度測定 UV400/UVR400

UV400/UVR400
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製品名
GaNエピタキシャル成長温度測定
型番
UV400/UVR400

GaNエピタキシャル成長温度測定 UV400/UVR400は、GaNバッファーレイヤー成長及びMQW成長の温度測定が可能です。

用 途

  • GaN膜温度測定
  • 反射率測定

特 長

  • サファイアウェハー上に成長するGaNエピタキシャル層の温度測定
  • 従来のNIR測定におけるウェハーポケット温度測定に代わりにUV光(400nm)を使用し、GaNの温度測定をします。
  • GaNバッファーレイヤー成長及びMQW成長の温度測定が可能です。
  • 高い温度精度により、LED発光波長のコントロールができます。
  • 高感度のPMT(光電子増倍管)を使用しているので、良好なS/Nと安定性を保ちます。
  • NIR測定に見られる光の干渉がありません。
  • 測定時間:8msec/20msec/100msec から選択
  • 測定面までの距離:73mm固定
  • デジタル(RS485)及びアナログ出力

仕 様

温度範囲 UV400:650~1150℃
UVR400:
温度: 650~1150℃
反射率測定:0.000~1.000
検出波長 UV400:中心波長: 400nm
半値幅:50nm
UVR400:温度/ 中心波長: 400nm 半値幅:50nm
反射率測定/ 中心波長: 635nm 半値幅: 2nm (又は10%)

基本システム構成図

システム構成図

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